存储器是计算机结构的重要组成部分。存储器是用来存储程序代码和数据的部件，有了存储器计算机才具有记忆功能。
存储器按其存储介质特性主要分为“易失性存储器”和“非易失性存储器”两大类。易失性存储器最典型的代表是内存，非易失性存储器的代表则是硬盘。
一、易失性存储器（RAM）
RAM（Random Access Memory）,被称为随机存储器，现在专门用于指代作为计算机内存的易失性半导体存储器。
1、动态随机存储器DRAM（Dynamic RAM）
动态随机存储器DRAM的存储单元以电容的电荷来表示数据，有电荷代表1，无电荷代表0，但时间一长，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，因此它需要定期刷新操作，这就是“动态(Dynamic)”一词所形容的特性。
根据DRAM的通讯方式，又分为同步SDRAM（Synchronous DRAM）和异步DRAM两种，这两种方式根据通讯时是否需要使用时钟信号来区分。
在时钟的上升和下降沿传输数据，使一个时钟周期传输两个位数据，人们设计了DDR SDRAM存储器（Double Data Rate SDRAM）。
2、静态随机存储器SRAM
静态随机存储器SRAM的存储单元以锁存器来存储数据， 这种电路结构不需要定时刷新充电，就能保持状态，所以这种存储器被称为“静态(Static)”RAM。
同样地，SRAM根据其通讯方式也分为同步(SSRAM)和异步SRAM，相对来说，异步SDRAM用得比较多。
| 特性 | DRAM | SRAM |
|---|---|---|
| 存取速度 | 较慢 | 较快 |
| 集成度 | 较高 | 较低 |
| 生产成本 | 较低 | 较高 |
| 是否需要刷新 | 是 | 否 |
| 应用 | 用于CPU内部的高速缓存(Cache) | 外部扩展的内存 |
二、非易失性存储器（ROM）
ROM是“Read Only Memory”的缩写，意为只能读的存储器，现在一般用于指代非易失性半导体存储器， 包括后面介绍的FLASH存储器，有些人也把它归到ROM类里边。
MASK ROM(Read Only Memory)：内部的数据是在出厂时使用特殊工艺固化的，生产后就不可修改；
OTPROM(One Time Programable ROM)：是一次可编程存储器；
EPROM(Erasable Programmable ROM)：需要专用设备进行擦除和写入；
EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)：电可擦除存储器， 可以重复擦写。
三、非易失性存储器（FLASH）
FLASH存储器又称为闪存，它也是可重复擦写的存储器，也可称为FLASH ROM。
| 特性 | NOR FLASH | NAND FLASH |
|---|---|---|
| 同容量存储器成本 | 较贵 | 较便宜 |
| 集成度 | 较低 | 较高 |
| 介质类型 | 随机存储 | 连续存储 |
| 地址线和数据线 | 独立分开 | 共用 |
| 擦除单元 | 以“扇区/块”擦除 | 以“扇区/块”擦除 |
| 读写单元 | 可以基于字节读写 | 必须以“块”为单位读写 |
| 读取速度 | 较高 | 较低 |
| 写入速度 | 较低 | 较高 |
| 坏块 | 较少 | 较多 |
| 是否支持XIP | 支持 | 不支持 |
四、应用
现代的嵌入式系统通常使用 Flash 存储程序 + RAM 运行程序，ROM 已经逐渐被 Flash 替代，但仍用于一些低成本的固定存储场景（如早期MCU的Boot ROM）。
| 特性 | RAM | ROM | Flash |
|---|---|---|---|
| 读写速度 | 最快 | 较慢 | 读取快、写入慢 |
| 掉电数据 | 丢失 | 保留 | 保留 |
| 用途 | 运行程序 | 固件存储（旧设备） | 程序+数据存储 |
| 擦写次数 | 不限 | 一次/有限 | 有限（10万次+） |
五、其他
为什么叫 NOR / NAND？
在 Flash 存储技术中：
- NOR Flash 的存储单元结构像 NOR 逻辑门（多个单元并联，支持随机访问）。
- NAND Flash 的存储单元结构像 NAND 逻辑门（多个单元串联，访问方式为块/页）。
什么是DDR模式和SDR模式？
DDR模式和SDR模式是两种不同的数据传输模式，主要区别在于时钟边沿利用率和传输速率：
- SDR模式（Single Data Rate）：数据在时钟的单一边沿（通常为上升沿或下降沿）采样；
- DDR模式（Double Data Rate）：数据在时钟的上升沿和下降沿均被采样；